Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
Autore principale: | Liu, William |
---|---|
Natura: | Libro |
Lingua: | English |
Pubblicazione: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
Soggetti: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
Documenti analoghi
-
Field effect devices /
di: Pierret, Robert F.
Pubblicazione: (1990) -
Nanometer CMOS /
di: Schwierz, Frank
Pubblicazione: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
di: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
Pubblicazione: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
di: Noor, Lamisha
Pubblicazione: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
di: Rashid, Shahriar, et al.
Pubblicazione: (2019)