An extended model for a punch through (PT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2017.
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Luận văn |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
BRAC University
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://hdl.handle.net/10361/8640 |