An extended model for a punch through (PT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2017.
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | |
| বিন্যাস: | গবেষণাপত্র |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
BRAC University
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://hdl.handle.net/10361/8640 |