Comparative study of quantum mechanical Capacitance Voltage characteristics and threshold voltage of two different structures of Junction Less Nanowire Transistor

Comparative study of quantum mechanical Capacitance Voltage characteristics and threshold voltage of two different structures of Junction Less Nanowire Transistor

This article presented at the IEEE Region 10 Annual International Conference [© 2016 IEEE] and the definite version is available at : https://10.1109/TENCON.2016.7848543. The article website is at: http://ieeexplore.ieee.org/document/7848543/

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Tasneem, Nujhat, Adnan, Md. Mohsinur Rahman, Hafiz, Md. Samzid Bin
Այլ հեղինակներ: Department of Electrical and Electronic Engineering, BRAC University
Ձևաչափ: Conference paper
Լեզու:English
Հրապարակվել է: © 2016 IEEE 2017
Խորագրեր:
Logic gates
Threshold voltage
Capacitance-voltage characteristics
Doping
Silicon
Junction less transistor
Առցանց հասանելիություն:http://hdl.handle.net/10361/8083
https://10.1109/TENCON.2016.7848543

Համացանց

http://hdl.handle.net/10361/8083
https://10.1109/TENCON.2016.7848543

Նմանատիպ նյութեր