Transient anode voltage modeling of IGBT and its base doping profile investigation
This conference paper was presented in the 18th International Conference on Computer and Information Technology, ICCIT 2015; Military Institute of Science and Technology (MIST) Mirpur Cantonment Dhaka; Bangladesh; 21 December 2015 through 23 December 2015 [© 2015 Institute of Electrical and Electron...
প্রধান লেখক: | Das, Avijit, Md Ziaur Rahman, Khan |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | Department of Electrical and Electronic Engineering, BRAC University |
বিন্যাস: | Conference paper |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
© 2015 Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2016
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://hdl.handle.net/10361/6900 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Transient anode voltage modeling of IGBT and its carrier lifetime dependence
অনুযায়ী: Das, Avijit, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018) -
Temperature dependence of the transient characteristics in NPT IGBT using linear and parabolic model
অনুযায়ী: Tania, Shoulin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Investigation into IGBT transient characteristics and calculation of switching power loss
অনুযায়ী: Hasan, Rifatul, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Comparative study of quantum mechanical Capacitance Voltage characteristics and threshold voltage of two different structures of Junction Less Nanowire Transistor
অনুযায়ী: Tasneem, Nujhat, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Study and analysis of switching transients in high voltage transmission line
অনুযায়ী: Ahmed, Prottasha, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)