I-V characteristics observation of graphene boron nitride vertical heterojunction van der waals resonant tunneling diode
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.
Автори: | Ahmed, Saber, Sobhan, Rifat Binte |
---|---|
Інші автори: | Saha, Atanu Kumar |
Формат: | Дисертація |
Мова: | English |
Опубліковано: |
BRAC University
2016
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | http://hdl.handle.net/10361/6425 |
Схожі ресурси
-
Double quantum well resonant tunneling negative differential resistance device design using graphene nanoribbons
за авторством: Saha, Gobinda, та інші
Опубліковано: (2016) -
Principles of electron tunneling spectroscopy
за авторством: Wolf, E. L. -
Bandstru cture observation of graphene nanoribb on and boron-nitride nanoribbon embedded graphene nanoribbon
за авторством: Haque, Fatin Farhan, та інші
Опубліковано: (2016) -
The PN junction diode. Volume II /
за авторством: Neudeck, Gerold W.
Опубліковано: (1989) -
Construction of laser raman system using diode laser and Its performance
за авторством: Abedin, Kazi M, та інші
Опубліковано: (2017)