Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
Tác giả chính: | Liu, William |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
Những chủ đề: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
Những quyển sách tương tự
-
Field effect devices /
Bằng: Pierret, Robert F.
Được phát hành: (1990) -
Nanometer CMOS /
Bằng: Schwierz, Frank
Được phát hành: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
Bằng: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
Được phát hành: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
Bằng: Noor, Lamisha
Được phát hành: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
Bằng: Rashid, Shahriar, et al.
Được phát hành: (2019)