Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /

Схожі ресурси

• Field effect devices /
  за авторством: Pierret, Robert F.
  Опубліковано: (1990)
• Nanometer CMOS /
  за авторством: Schwierz, Frank
  Опубліковано: (2010)
• Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
  за авторством: Afsin, Muntasirul Haque, та інші
  Опубліковано: (2017)
• Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
  за авторством: Noor, Lamisha
  Опубліковано: (2018)
• Performance evolution of Spin Valve transistor
  за авторством: Rashid, Shahriar, та інші
  Опубліковано: (2019)