Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /

Gelijkaardige items

• Field effect devices /
  door: Pierret, Robert F.
  Gepubliceerd in: (1990)
• Nanometer CMOS /
  door: Schwierz, Frank
  Gepubliceerd in: (2010)
• Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
  door: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
  Gepubliceerd in: (2017)
• Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
  door: Noor, Lamisha
  Gepubliceerd in: (2018)
• Performance evolution of Spin Valve transistor
  door: Rashid, Shahriar, et al.
  Gepubliceerd in: (2019)