Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
Հիմնական հեղինակ: | Liu, William |
---|---|
Ձևաչափ: | Գիրք |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
Խորագրեր: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
Նմանատիպ նյութեր
-
Field effect devices /
: Pierret, Robert F.
Հրապարակվել է: (1990) -
Nanometer CMOS /
: Schwierz, Frank
Հրապարակվել է: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
: Afsin, Muntasirul Haque, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
: Noor, Lamisha
Հրապարակվել է: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
: Rashid, Shahriar, և այլն
Հրապարակվել է: (2019)