Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
מחבר ראשי: | Liu, William |
---|---|
פורמט: | ספר |
שפה: | English |
יצא לאור: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
נושאים: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
פריטים דומים
-
Field effect devices /
מאת: Pierret, Robert F.
יצא לאור: (1990) -
Nanometer CMOS /
מאת: Schwierz, Frank
יצא לאור: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
מאת: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
יצא לאור: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
מאת: Noor, Lamisha
יצא לאור: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
מאת: Rashid, Shahriar, et al.
יצא לאור: (2019)