Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
Päätekijä: | Liu, William |
---|---|
Aineistotyyppi: | Kirja |
Kieli: | English |
Julkaistu: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
Aiheet: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
Samankaltaisia teoksia
-
Field effect devices /
Tekijä: Pierret, Robert F.
Julkaistu: (1990) -
Nanometer CMOS /
Tekijä: Schwierz, Frank
Julkaistu: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
Tekijä: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
Julkaistu: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
Tekijä: Noor, Lamisha
Julkaistu: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
Tekijä: Rashid, Shahriar, et al.
Julkaistu: (2019)