Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /

Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Liu, William
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	New York : Wiley, c1999.
Schlagworte:	Bipolar transistors. Field-effect transistors. Metal semiconductor field-effect transistors. Modulation-doped field-effect transistors.
Classic Catalogue:	View this record in Classic Catalogue

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