Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /
المؤلف الرئيسي: | Liu, William |
---|---|
التنسيق: | كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
New York :
Wiley,
c1999.
|
الموضوعات: | |
Classic Catalogue: | View this record in Classic Catalogue |
مواد مشابهة
-
Field effect devices /
بواسطة: Pierret, Robert F.
منشور في: (1990) -
Nanometer CMOS /
بواسطة: Schwierz, Frank
منشور في: (2010) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
بواسطة: Afsin, Muntasirul Haque, وآخرون
منشور في: (2017) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
بواسطة: Noor, Lamisha
منشور في: (2018) -
Performance evolution of Spin Valve transistor
بواسطة: Rashid, Shahriar, وآخرون
منشور في: (2019)