Transient anode voltage modeling of IGBT and its carrier lifetime dependence
This conference paper was published in the IEEE Region 10 Conference, TENCON 2015; Holiday Inn, Sands Cotai CentralMacau; Macau; 1 November 2015 through 4 November 2015 [© 2015 IEEE] and the definite version is available at : http://doi.org/10.1109/TENCON.2015.7372970 The Journal's website is a...
প্রধান লেখক: | Das, Avijit, Islam, Nazmul, Haq, Masud Ul, Khan, Ziaurrahman |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | Department of Electrical and Electronic Engineering, BRAC University |
বিন্যাস: | Conference paper |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
© 2015 IEEE
2018
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://hdl.handle.net/10361/9886 http://doi.org/10.1109/TENCON.2015.7372970 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Transient anode voltage modeling of IGBT and its base doping profile investigation
অনুযায়ী: Das, Avijit, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
Temperature dependence of the transient characteristics in NPT IGBT using linear and parabolic model
অনুযায়ী: Tania, Shoulin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Determinants of cross-selling opportunities impacting customer lifetime value at Runner Automobile PLC
অনুযায়ী: Hossain, Mokammel
প্রকাশিত: (2024) -
Investigation into IGBT transient characteristics and calculation of switching power loss
অনুযায়ী: Hasan, Rifatul, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Study and analysis of switching transients in high voltage transmission line
অনুযায়ী: Ahmed, Prottasha, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)