Analysis of bulk negative capacitance field effect transistor
This thesis report is submitted in partial fulfilment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2017.
প্রধান লেখক: | Rahman, Towfiqur, Khan, Antara Fairooz, Nawal, Nowshin |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | Noor, Samantha Lubaba |
বিন্যাস: | গবেষণাপত্র |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
BRAC University
2017
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://hdl.handle.net/10361/8625 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
An extended model for a punch through (PT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics
অনুযায়ী: Saif, Omar, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Single molecular transistor
অনুযায়ী: Mitra, Kangkan, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018) -
Field effect devices /
অনুযায়ী: Pierret, Robert F.
প্রকাশিত: (1990) -
Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
অনুযায়ী: Noor, Lamisha
প্রকাশিত: (2018) -
Comparative study of quantum mechanical Capacitance Voltage characteristics and threshold voltage of two different structures of Junction Less Nanowire Transistor
অনুযায়ী: Tasneem, Nujhat, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017)