Temperature dependence of the transient characteristics in NPT IGBT using linear and parabolic model
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.
| Автори: | Tania, Shoulin, Saha, Dipraj, Faiza, Fahmida |
|---|---|
| Інші автори: | Das, Avijit |
| Формат: | Дисертація |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
BRAC University
2017
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://hdl.handle.net/10361/7734 |
Схожі ресурси
-
Investigation into IGBT transient characteristics and calculation of switching power loss
за авторством: Hasan, Rifatul, та інші
Опубліковано: (2017) -
Transient anode voltage modeling of IGBT and its carrier lifetime dependence
за авторством: Das, Avijit, та інші
Опубліковано: (2018) -
Transient anode voltage modeling of IGBT and its base doping profile investigation
за авторством: Das, Avijit, та інші
Опубліковано: (2016) -
Transient switch-on collector current analysis in punch-through IGBT
за авторством: Islam, Md. Akhirul, та інші
Опубліковано: (2017) -
An extended model for a punch through (PT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics
за авторством: Saif, Omar, та інші
Опубліковано: (2017)