Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function

Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function

This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Afsin, Muntasirul Haque, Kabir, Shahriar, Siddiqui, Aminul Haque
Այլ հեղինակներ: Bhuian, Dr.Mohammad Belal Hossain
Ձևաչափ: Թեզիս
Լեզու:English
Հրապարակվել է: BRAC University 2017
Խորագրեր:
Quantum Well Field-Effect Transistor (QWFET)
Electrical and electronic engineering
Առցանց հասանելիություն:http://hdl.handle.net/10361/7696

Համացանց

http://hdl.handle.net/10361/7696

Նմանատիպ նյութեր