Double quantum well resonant tunneling negative differential resistance device design using graphene nanoribbons
This conference paper was presented in the 15th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2015; Rome; Italy; 27 July 2015 through 30 July 2015 [© 2015 Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.] The conference paper's definite version is available at: http://10.1109...
প্রধান লেখক: | Saha, Gobinda, Saha, Atanukumar, Harun-Ur Rashid, A.B.M. |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | Department of Electrical and Electronic Engineering |
বিন্যাস: | Conference Paper |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
© 2015 Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2016
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://hdl.handle.net/10361/6943 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
I-V characteristics observation of graphene boron nitride vertical heterojunction van der waals resonant tunneling diode
অনুযায়ী: Ahmed, Saber, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
Bandstru cture observation of graphene nanoribb on and boron-nitride nanoribbon embedded graphene nanoribbon
অনুযায়ী: Haque, Fatin Farhan, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
Humidity sensor using surface adsorbed channel modulated Graphene nanoribbon: NEGF approach
অনুযায়ী: Shakil, Shifur Rahman, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Comparison of the performance of ballistic schottky barrier graphene nanoribbon FET
অনুযায়ী: Ahmed, Sheikh Ziauddin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014) -
Simulation of carrier mobility through Graphene Nanoribbon based DNA sensor
অনুযায়ী: Hasan, Rifat, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016)