I-V characteristics observation of graphene boron nitride vertical heterojunction van der waals resonant tunneling diode
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.
Հիմնական հեղինակներ: | Ahmed, Saber, Sobhan, Rifat Binte |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Saha, Atanu Kumar |
Ձևաչափ: | Թեզիս |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
BRAC University
2016
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | http://hdl.handle.net/10361/6425 |
Նմանատիպ նյութեր
-
Double quantum well resonant tunneling negative differential resistance device design using graphene nanoribbons
: Saha, Gobinda, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
Principles of electron tunneling spectroscopy
: Wolf, E. L. -
Bandstru cture observation of graphene nanoribb on and boron-nitride nanoribbon embedded graphene nanoribbon
: Haque, Fatin Farhan, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
The PN junction diode. Volume II /
: Neudeck, Gerold W.
Հրապարակվել է: (1989) -
Construction of laser raman system using diode laser and Its performance
: Abedin, Kazi M, և այլն
Հրապարակվել է: (2017)