I-V characteristics observation of graphene boron nitride vertical heterojunction van der waals resonant tunneling diode
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.
Main Authors: | Ahmed, Saber, Sobhan, Rifat Binte |
---|---|
מחברים אחרים: | Saha, Atanu Kumar |
פורמט: | Thesis |
שפה: | English |
יצא לאור: |
BRAC University
2016
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | http://hdl.handle.net/10361/6425 |
פריטים דומים
-
Double quantum well resonant tunneling negative differential resistance device design using graphene nanoribbons
מאת: Saha, Gobinda, et al.
יצא לאור: (2016) -
Principles of electron tunneling spectroscopy
מאת: Wolf, E. L. -
Bandstru cture observation of graphene nanoribb on and boron-nitride nanoribbon embedded graphene nanoribbon
מאת: Haque, Fatin Farhan, et al.
יצא לאור: (2016) -
The PN junction diode. Volume II /
מאת: Neudeck, Gerold W.
יצא לאור: (1989) -
Construction of laser raman system using diode laser and Its performance
מאת: Abedin, Kazi M, et al.
יצא לאור: (2017)