I-V characteristics observation of graphene boron nitride vertical heterojunction van der waals resonant tunneling diode
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2016.
المؤلفون الرئيسيون: | Ahmed, Saber, Sobhan, Rifat Binte |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Saha, Atanu Kumar |
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
BRAC University
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10361/6425 |
مواد مشابهة
-
Double quantum well resonant tunneling negative differential resistance device design using graphene nanoribbons
بواسطة: Saha, Gobinda, وآخرون
منشور في: (2016) -
Principles of electron tunneling spectroscopy
بواسطة: Wolf, E. L. -
Bandstru cture observation of graphene nanoribb on and boron-nitride nanoribbon embedded graphene nanoribbon
بواسطة: Haque, Fatin Farhan, وآخرون
منشور في: (2016) -
The PN junction diode. Volume II /
بواسطة: Neudeck, Gerold W.
منشور في: (1989) -
Construction of laser raman system using diode laser and Its performance
بواسطة: Abedin, Kazi M, وآخرون
منشور في: (2017)