Simulation of electronic properties of a quantum dot in transistor geometry at varying temperatures
This internship report is submitted in a partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Physics, 2016
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Luận văn |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
BRAC University
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://hdl.handle.net/10361/5431 |