Simulation of electronic properties of a quantum dot in transistor geometry at varying temperatures

This internship report is submitted in a partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Physics, 2016

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Ahsan, Md. Galib
Այլ հեղինակներ: Haque, Md. Firoze H.
Ձևաչափ: Թեզիս
Լեզու:English
Հրապարակվել է: BRAC University 2016
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:http://hdl.handle.net/10361/5431