Simulation of electronic properties of a quantum dot in transistor geometry at varying temperatures
This internship report is submitted in a partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Physics, 2016
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | |
| פורמט: | Thesis |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
BRAC University
2016
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | http://hdl.handle.net/10361/5431 |