Simulation of electronic properties of a quantum dot in transistor geometry at varying temperatures
This internship report is submitted in a partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Physics, 2016
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
BRAC University
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10361/5431 |