Study of Ballistic Graphene Nanoribbon FET and Carbon Nanotube FET for device applications
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2015.
Автор: | Pavel, Md. Reaz Haider |
---|---|
Інші автори: | Mominuzzaman, Dr. Sharif Mohammad |
Формат: | Дисертація |
Мова: | English |
Опубліковано: |
BRAC University
2016
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | http://hdl.handle.net/10361/4958 |
Схожі ресурси
-
Comparison of the performance of ballistic schottky barrier graphene nanoribbon FET
за авторством: Ahmed, Sheikh Ziauddin, та інші
Опубліковано: (2014) -
Current-Voltage characteristics of carbon Nanotube field effect transistor considering Non-Ballistic conduction
за авторством: Rouf, Nirjhor Tahmidur, та інші
Опубліковано: (2014) -
Toward Quantum FinFET
Опубліковано: (2013) -
Characterization of Carbon Nanotube field effect transistor
за авторством: Khan, Sabbir Ahmed, та інші
Опубліковано: (2013) - Carbon Nanotubes, Graphene, and Associated Devices VII