Simulation based study of non-planar multigate indium gallium arsenide quantum well field effect transistors
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2015.
Հիմնական հեղինակներ: | Haque, Tausif Omar, Shifain, Joyoti, Mallick, Protim, Islam, Md. Rizwanul |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Bhuian, Dr. Mohammed Belal Hossain |
Ձևաչափ: | Թեզիս |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
BRAC University
2015
|
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | http://hdl.handle.net/10361/4330 |
Նմանատիպ նյութեր
-
Simulation of electronic properties of a quantum dot in transistor geometry at varying temperatures
: Ahsan, Md. Galib
Հրապարակվել է: (2016) - Optical and Digital Gallium Arsenide Technologies for Signal Processing Applications
-
High Mobility and Quantum Well Transistors
: Hellings
Հրապարակվել է: (2013) -
Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
: Afsin, Muntasirul Haque, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) - Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), European (Formerly European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium - EGASS)