Trích dẫn kiểu APA (xuất bản lần thứ 7)

Haque, T. O., Shifain, J., Mallick, P., Islam, M. R., & Bhuian, D. M. B. H. (2015). Simulation based study of non-planar multigate indium gallium arsenide quantum well field effect transistors. BRAC University.

Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)

Haque, Tausif Omar, Joyoti Shifain, Protim Mallick, Md. Rizwanul Islam, và Dr. Mohammed Belal Hossain Bhuian. Simulation Based Study of Non-planar Multigate Indium Gallium Arsenide Quantum Well Field Effect Transistors. BRAC University, 2015.

Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 8)

Haque, Tausif Omar, et al. Simulation Based Study of Non-planar Multigate Indium Gallium Arsenide Quantum Well Field Effect Transistors. BRAC University, 2015.

Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.