Current-Voltage characteristics of carbon Nanotube field effect transistor considering Non-Ballistic conduction
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2013.
| Հիմնական հեղինակներ: | Rouf, Nirjhor Tahmidur, Deep, Ashfaqul Haq, Hassan, Rusafa Binte |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | Mominuzzaman, Sharif Mohammad |
| Ձևաչափ: | Թեզիս |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
BRAC University
2014
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://hdl.handle.net/10361/2937 |
Նմանատիպ նյութեր
-
Gate dielectric material dependence of current-voltage characteristics of ballistic Schottky barrier graphene nanoribbon field-effect transistor and carbon nanotube field-effect transistor for different channel lengths
: Ahmed, Sheikh Ziauddin, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
Characterization of Carbon Nanotube field effect transistor
: Khan, Sabbir Ahmed, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Linear and nonlinear dynamic conductivity of carbon nanotubes
: Kamal, Marzuk M, և այլն
Հրապարակվել է: (2010) -
Study of Ballistic Graphene Nanoribbon FET and Carbon Nanotube FET for device applications
: Pavel, Md. Reaz Haider
Հրապարակվել է: (2016) -
Current-voltage characteristics of ballistic schottky barrier GNRFET and CNTFET: effect of relative dielectric constant
: Ahmed, Sheikh Ziauddin, և այլն
Հրապարակվել է: (2016)